RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3368
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link