RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
56
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2455
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link