RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
59
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
2727
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link