RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3318
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link