RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
5.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3495
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link