RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
23
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
20
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3359
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link