RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около 68% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
71
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
1979
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link