RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3348
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link