RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
2381
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link