RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сравнить
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB против Kingston KVR26N19D8/16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Средняя оценка
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
65
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
54
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
7.6
Скорость записи, Гб/сек
5.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1370
1611
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link