Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB против Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Причины выбрать
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

2,924.1 1,905.1

Среднее значение в тестах

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 70

Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5600

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

70 50
Скорость чтения, Гб/сек

4,318.9 5,143.3
Скорость записи, Гб/сек

2,924.1 1,905.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5600 6400

Other

Описание

PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

813 855

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM