Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 51

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 12.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 5.9

Среднее значение в тестах

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 51
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 12.5
Скорость записи, Гб/сек

9.6 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 1081

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM