RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
4217
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link