RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2863
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link