RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
55
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
55
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2665
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link