RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3047
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link