RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2667
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link