RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3193
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link