RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3234
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link