Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 43

Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.3 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.1 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 23
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 20.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 4173

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

модули RAM