Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 43

Около -115% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.1 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 20
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 20.1
Скорость записи, Гб/сек

9.6 15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3726

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9965640-015.A00G 32GB

Kingston 9965640-015.A00G 32GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

модули RAM