RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3544
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link