RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3901
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link