RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3291
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link