RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2481
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link