RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2327
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
OCZ OCZ2G9001G 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link