RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2545
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link