RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
74
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1925
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link