Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 43

Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 36
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 15.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 2981

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

модули RAM