RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
58
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
58
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1998
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link