RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3068
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link