RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2879
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link