RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
59
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2968
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link