RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против AMD R748G2400U2S-UO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
59
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3120
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link