Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.3 12.3

Среднее значение в тестах

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 59

Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 3279

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM