RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
59
Около -195% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3287
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link