RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
59
Около -51% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3825
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link