RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3559
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link