RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3025
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link