RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2734
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link