RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
72
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1728
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link