RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2416
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link