RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3047
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link