RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3072
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link