RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
59
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2855
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link