RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
59
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2250
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link