RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2823
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link