RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3396
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link