RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2832
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link