RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3691
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link